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    一種裝置包括與第二核心間隔的第一核心。該第二核心具有一包含一第一繞組的第一部分、一包含第二繞組的第二部分，及一在該第一部分與第二部分之間的第三部分。該第一核心與該第二核心之第三部分之間包括至少一填料。該裝置之操作狀態基於通過該填料的磁通量而改變。當該通量在一不飽和水平時，該第一及第二繞組作為解耦合電感器。當該通量在一飽和水平時，該第一及第二繞組作為一耦合電感器。通過該填料的磁通量的數量可根據通過一或多個繞組之電流的大小及/或填料材料之磁導率來決定。
    公开号:TW201318012A
    申请号:TW101134271
    申请日:2012-09-19
    公开日:2013-05-01
    发明作者:Xiao-Guo Liang
    申请人:Intel Corp；
    IPC主号:H01F27-00
    专利说明:
    於耦合及解耦合狀態間切換之電感器 發明領域
    本文所述之一或多個實施例有關於電壓/電流控制。 發明背景
    電壓調節持續成為電路設計所關注的一個領域，尤其是防止不必要的功耗為目的。雖然所有系統均可得益於電壓調節的改良，但是以電池供電的裝置是一特別的重點。促進電池功率使用的有效管理將能提升性能，為使用者提供增強的性能。
    依據本發明之一實施例，係特地提出一種裝置，其包含：第一核心；第二核心，與該第一核心相鄰且具有：a)第一部分，包括第一繞組，b)第二部分，與該第一核心間隔，c)第三部分，包括第二繞組，及一填料，具有一磁導率，其中該第二部分在該第二核心之第一與第三部分之間，且其中該填料位於該第一核心與該第二核心之第二部分之間的一間隙中。
    10‧‧‧第一核心
    20‧‧‧第二核心
    21‧‧‧第一部分/核心部分
    22‧‧‧第二部分/第二核心部分
    23‧‧‧第三部分/核心部分
    24‧‧‧主要部分
    30、230、330、501、502、503、504、505、506、507‧‧‧填料
    40、50‧‧‧繞組
    70、80‧‧‧磁通量
    71、72、81、82‧‧‧端子
    90‧‧‧電容器
    100‧‧‧電感器
    110‧‧‧順時針路徑
    120‧‧‧逆時針路徑
    130‧‧‧箭頭
    200‧‧‧電感器
    410‧‧‧電壓源
    420‧‧‧電壓調節器
    4301、4302、4303‧‧‧平台
    L1‧‧‧第一部分的電感
    L2‧‧‧第二部分的電感
    G1、G2、G3‧‧‧間隙
    SW1、SW2、SW4、SW5、SW6‧‧‧開關
    I1、I2‧‧‧電流
    V1‧‧‧輸入電壓
    V2、V3‧‧‧輸出電壓
    A1、A2、A3‧‧‧寬度
    圖1繪示在耦合與解耦合狀態之間切換的一電感器。
    圖2(a)繪示當電感器操作於一解耦合狀態時產生磁通量的一範例，且圖2(b)繪示在此一狀態電感器使用一降壓調節操作的一等效圖。
    圖3(a)繪示在電感器操作於一耦合狀態時產生之磁通量的一範例，且圖3(b)繪示在此一狀態電感器使用一降壓調節器操作的一等效圖。
    圖4繪示一實施例的電感與負載電流之間的一關係。
    圖5繪示在耦合與解耦合狀態之間切換的另一電感器。
    圖6繪示可包括本文所述的一電感器的一終端機。
    圖7繪示用以使用包含該對一終端機之不同平台供電的電感器的一電壓調節器來產生電壓的一電路的一範例。
    圖8(a)-8(c)繪示一電感器之第一核心與第二核心之間另外的填料配置。 較佳實施例之詳細說明
    圖1繪示在耦合與解耦合狀態之間切換的一電感器100之第一實施例。該電感器包括第一核心10、第二核心20，及一填料30。第一及第二核心可能具有不同的形狀，且由相同或不同的材料製成。這些材料之範例包括鐵磁金屬(例如，鐵)或合金或能夠支持一磁場形成的任何其他材料。第一及第二核心可一體形成。作為另一選擇，一或多個核心可能具有由組合板或其他結構形成的一積層結構。
    第一核心10可被配置成具有不同排列的多個部分。在此實施例中，第一核心大體上具有一條狀、線狀或I形形態，且第二核心20具有多個部分，其中至少某些部分向第一核心延伸。在圖1中所示之範例中，第二核心具有三個向第一核心延伸的部分，即依序配置延伸自一主要部分24的第一部分21、第二部分22，及第三部分23。以此方式配置，第二核心大體上呈E形。因此，第一與第二核心的組合可被視為具有一「EI」形態。
    如圖1中所示者，第二核心之每一部分與第一核心間隔。第一部分與第一核心之間的間距包括一間隙G1，第二部分與第一核心之間的間距包括一間隙G2，且第三部分與第一核心之間的間距包括一間隙G3。該等間隙影響磁通量流動，因而影響不同核心部分的電感值。在一實施例中，所有三個間隙可能大體上相同。在其他實施例中，視電感器的應用及產生之磁通量而定，一或多個間隙可能是不同的。
    除了設定間隙間距之外或替代設定間隙間距，可設定其他電感值以實現電感器所需的性能水平。例如，分別圍繞第二核心之第一及第三部分的繞組40及50的數目可以是不同的，及/或用以形成繞組的導體類型可以是不同的。基於繞組的數目，繞組所用的導體的類型，及/或間隙間距，不同的電感可能與第二核心之第一及第三部分相關聯地產生。第一部分的電感被繪示為L1，且第二部分的電感被繪示為L2。
    填料30位於第一核心與第二核心之第二部分。依據一實施例，第二核心22並不具有繞組。這可能有助於協助電感器在耦合與解耦合狀態之間切換，切換方式在下文中更加詳細地描述。為了便於在這些狀態之間切換，填料由具有一預定磁導率的一種材料製成。
    依據一實施例，填料由具有在一預定範圍內的一磁導率的一種材料製成。此材料可能是與製成第一或第二核心中之一者的材料相同的或不同的。核心材料的一範例是肥粒鐵合金。
    在其他應用中，填料材料可以在不同的磁導率範圍內，這取決於，例如間隙間距及製造核心的材料。在圖1之實施例中，第二核心之該等部分之間的區域可用具有一低磁導率或無磁導率的一種材料來填充，或這些區域可以是氣隙。並且，間隙G1及G3可以是氣隙，或這些間隙中的一或多者可用無磁導率或具有低磁導率的一種材料來填充，視特定應用而定。
    第一核心與第二核心之第二部分之間的填料也可具有不同的尺寸。在一實施例中，填料之上表面接觸第一核心，且其下表面接觸第二部分。作為另一選擇，僅第一核心與第二部分中的一者可接觸填料，填料與第一核心或第二部分中的另一者之間有一較小間隙。
    並且，就橫向尺寸而言，圖1中所示之填料的寬度小於第二核心之第二部分的寬度。然而，在其他實施例中，填料可能具有一不同寬度，且甚至大體等於或大於第二部分之寬度。
    包含填料允許電感器在耦合與解耦合狀態之間切換。此一切換基於填料材料的飽和水平變化而成為可能。更具體而言，在一磁路中，磁通量將沿著磁阻最小的路徑。(因此，磁阻可被視為類似於一電路中的電阻)。圖1之間隙中的填料30的飽和水平用於控制磁通量的移動路徑。更具體而言，在圖1之電感器中，填料的飽和水平的變化改變了由圍繞各別多個核心部分之繞組所產生之磁阻路徑。這又導致電感器在耦合與解耦合狀態之間切換。
    依據一實施例，填料材料之飽和水平(從而狀態切換)可由填料所選的材料類型及負載電流的大小來決定。基於填料材料的磁導率，流經繞組的負載電流將致使核心繞組具有不同的電感，且將致使核心繞組之磁通線的很大一部分沿不同的路徑。
    圖2(a)繪示在電感器操作於一解耦合狀態時產生之磁通量圖案的一範例。在此狀態中，圍繞核心部分21的繞組40作用為第一電感器，且圍繞核心部分23的繞組50作用為第二電感器。因為第一及第二電感器各別操作，電感器100被視為在一解耦合狀態。
    此解耦合狀態基於與填料材料的磁導率相關的流經電感器的負載電流的大小自動發生。在此範例中，當負載電流(IL)小於一預定閾值(ITH)時，填料材料處於一磁不飽和狀態。因此，第一電感器的磁通量70沿一通過第二核心部分22及填料30的低磁阻路徑流動，且第二電感器的磁通量80沿一也通過第二核心部分及填料的低磁阻路徑移動。
    並且，如圖所示，電感器的磁通量可在不同的方向上流動。這可藉由使電流反向流經電感器來完成。例如，電流可經由端子71流入電感器L1，且電流可經由端子72離開此電感器。反之，電流可經由端子81流入電感器L2，且電流可經由端子82離開此電感器。
    圖2(b)是對應於圖2(a)中所示狀態之電感器的一等效圖。在此圖式中，因為通過填料的低電感路徑，第一及第二電感器L1及L2基於分別流經各自繞組的電流I1及I2而各別操作。依據一實施例，電流I1及I2的總和可被視為相當於負載電流。
    並且，在圖2(b)中，開關SW1及SW2可被包含，以選擇性地將電感器切換成一包括欲被驅動之負載的電路。該等開關可交替閉合以將電感器的相同或不同電感耦合至一負載，由電容器90示意地繪示，或僅兩開關中之一可閉合或兩個開關都可同時閉合，取決於負載的要求。
    圖3(a)繪示在電感器操作於一耦合狀態時產生之磁通量的一範例。在此狀態中，圍繞核心部分21的繞組40及圍繞核心部分23的繞組50產生磁通量，該磁通量加總在一起以形成一耦合電感器的通量(從而電感)。
    若繞組的通量以同一方向流動，在耦合狀態的淨通量(從而電感)將大於繞組的個別電感，例如在某些情況下，LCoupled State=L1-L2或LCoupled State=L2+L1，或甚至LCoupled State=L1+L2。反之，若繞組的通量在不同的方向上流動，一繞組的某些通量將抵消另一繞組的通量，產生一耦合狀態的淨通量(及電感)，該淨通量小於採取一或二繞組個別的淨通量。圖4中繪示第二種情況的一範例，將在下文中更加詳細地討論。
    此耦合狀態基於與填料材料之磁導率相關的負載電流的大小自動發生。在此範例中，當負載電流(IL)大於預定閾值(ITH)時，填料材料是磁飽和的。因此，填料材料實質上作用為一非磁性材料(例如，非可透磁材料，諸如空氣)，且第一及第二電感器的磁通量將流經第二核心部分22，但是，此通量的很大一部分將不會流經填料30。
    在操作中，電流可切換到繞組40及50中，或僅切換到繞組40或50中的一者。若電流僅切換到繞組40或50中的一者中，在耦合狀態中電感器100之磁通量流動方向是由接收輸入電流的電感器繞組來決定。例如，若繞組40接收輸入負載電流，則在耦合狀態之電感器100磁通量穿過一順時針路徑110。若繞組50接收輸入負載電流，則在耦合狀態中電感器100之磁通量穿過逆時針路徑120。若電流切換到繞組40及50中，在耦合狀態中電感器100之磁通量流動方向可由個別繞組之通量的總和來決定。
    圖3(b)繪示對應於圖3(a)之耦合狀態中的電感器的一等效圖式。在此圖式中，因為填料是飽和的，通過填料的電感路徑過高以致于任何大量的磁通量都不能通過。因此，如箭頭130所示，電感器L1及L2操作於一耦合狀態，具有一磁通量方向及耦合電感值，開關SW1或SW2基於該磁通量方向及耦合電感值而閉合。在圖3(b)中，字母M指示核心繞組之間形成一互感，例如提供繞組之間耦合程度的一指示。
    並且，在圖2(b)及3(b)中，鄰近繞組的圓點表示相對於繞組的電壓極性。例如，當電流進入對應於L1之繞組的圓點時，能量在L2之繞組中感應生成，且電流沿耦合至此第二繞組之圓點的電路路徑輸出。
    依據一實施例，一電感器100可依據下述例示材料及值被配置。不同的材料及/或值可在其他實施例中被使用。
    核心10所用材料：肥粒鐵合金
    核心20所用材料：肥粒鐵合金
    填料30所用材料：肥粒鐵合金
    填料30所用的磁導率值：3000μ0
    核心10之寬度：10mm
    核心20之寬度：10mm
    間隙(G2)間距：0.32mm
    閾值電流值(ITH)：10A
    負載電流(I)的範圍：42
    在解耦合狀態中個別電感器的電感值：L1=371Nh L2=370nH
    在耦合狀態中電感器的電感值：298nH
    圖4繪示一圖式，該圖式表現在電感器以一種非線性方式操作的情況下，電感器100之電感與負載電流之間之關係。在此圖式中，負載電流可能落入二範圍之一。第一範圍是輕負載電流範圍，其中負載電流I0<ITH。在此範圍中，電感器操作於一解耦合狀態，其中每一核心繞組展現出一電感Ldp；也就是說，L1=L2=Ldp。
    第二範圍是一重負載電流範圍，其中負載電流I0>ITH。在此範圍中，電感器操作於一耦合狀態，其中電感器100具有一電感Lcp。在此範例中，耦合狀態電感Lcp小於個別線圈繞組之電感Ldcp。這可能歸因於繞組40及50之極性及/或圍繞核心部分21及23的繞組數目差異。因此，在此範例中，由一繞組產生之磁通量可部分地抵消另一繞組之磁通量，以產生一淨互感Lcp。
    在其他實施例中，繞組之極性、繞組之數目、繞組的輸入端子，及/或其他因素可改變以形成一不同的互感。例如，繞組的磁通量可相加，使得Lcp>Ldcp。
    圖5繪示依據另一實施例的一電感器200。此電感器與圖1中之電感器相似，只是二填料230及330在核心10與20之間的間隙G2中。這些填料可由使用作為填料30的任一種材料製成，且可展現相同或相似的磁導率，以及從而相同或相似的磁阻與間隙G2。作為另一選擇，填料可由不同的材料及/或具有不同磁導率的材料製成。
    在此實施例中，填料230及330被繪示為具有一預定間隙且用以影響電感器之操作狀態。當負載電流小於閾值電流值(I<ITH)時，繞組40及50所產生之磁通量通過核心部分22及填料230及330，因為這些填料並不是磁飽和的。因此，繞組在一解耦合狀態中作用為個別的電感器。
    依據一實施例，當僅第一或第二填料中的一者之磁通量水平不飽和時，繞組可操作於一解耦合狀態。在此等條件下，另一填料可能是磁飽和的或不飽和的。作為另一選擇，當二填料之磁通量水平均不飽和時，繞組可操作於解耦合狀態。這些不同的操作模式可取決於，例如通過一或多個繞組的電流量，選擇用作填料的材料，及/或填料之間之間距。
    當負載電流大於閾值電流值(I>ITH)時，二填料均是磁飽和的。因此，繞組的通量通過第二核心部分22，但是相當大量的通量並不會通過填料。因此，電感器200操作於一耦合狀態，產生一互感，其中Lcp可能大於或小於Ldcp，例如取決於圍繞每一核心部分的繞組之極性及/或數目。
    在圖1及5之電感器中，核心20具有三個部分。在其他實施例中，此核心可能具有三個以上部分，有一非繞線中介核心部分在相鄰的繞線核心對之間。在此情況下，一電感器可被形成為在耦合狀態的互感大於由圖1及5中所形成者的互感。此外，這些對可選擇性地切換，以產生一特定負載應用所需之電感。
    在另一實施例中，一電壓調節器可使用圖1或5中之電感器形成。圖2(b)及3(b)中繪示此一電壓調節器的一範例，其中所包含的電感器分別操作於解耦合及耦合狀態。在圖2(b)中，由於電感器操作於解耦合狀態，一輸入電壓V1被轉換成一輸出電壓V2。在圖3(b)中，由於電感器操作於耦合狀態，輸入電壓被轉換成一輸出電壓V3。
    圖6繪示一電子裝置的一範例，其可包括依據前述實施例的一電壓調節器。在此範例中，電子裝置是一行動終端機，例如可以是一智慧型手機、行動隨選型(pod-type)裝置、筆記型電腦或膝上型電腦，或另一種類型的資料終端機。該裝置並不要求是可攜的。
    圖7繪示圖6之裝置的一內部配置的一實施例。在此實施例中，該裝置包括一電壓源410、一電壓調節器420，及一或多個平台4301、4302，及4303，它們可能具有不同的電壓要求來支援終端機中的不同功能或操作。例如，當電子裝置是一行動終端機時，一平台可操作終端機之通訊電路，另一平台可操作終端機的一媒體播放器，且第三平台可操作一照相功能。
    電壓調節器與平台之間的耦合可選擇性地切換以改變通過調節器之電感器的電流。該電感器可以是依據上述任一實施例的電感器。若電壓調節器具有對應於圖2(a)中所示者的一電感器，則L1可藉由開關SW4來切換以產生平台4301的第一電壓，且L2可藉由SW5來切換以產生平台4302的第二電壓。二電感器此時可處於解耦合狀態，即通過至少一填料的磁通量處於一不飽和水平。
    在耦合狀態中，當開關SW6閉合時，由L1及L2形成的一互感可用以產生平台4303的第三電壓。通過至少一填料的磁通量可在此時處於一飽和水平。作為另一選擇，在耦合狀態中，所有填料均可以是飽和的。若其中一填料是不飽和的，則L1及L2之通量不可能彼此相交，但是會穿過中央部分的不飽和填料。
    依據一實施例，V1≠V2≠V3。如同在先前實施例中，當使用電感器的一多填料實施例時，通過填料的磁通量的數量例如可根據通過一或多個繞組的電流、填料之磁導率，及填料之間的間隙來控制。
    依據具有一多填料設計的一實施例，填料之飽和水平可能是相同或不同的。若是不同的，則差異可能是基於，例如形成填料使用的材料不同，尺寸不同，及/或其他因素。
    圖8(a)-8(c)繪示包括第一與第二核心之間的一或多個填料的其他配置。在這些圖式中，第二核心的仰視圖是相對於電感器的一截面圖繪示。第二核心之第一及第三部分之寬度(A3)小於第二核心之第二部分之寬度(A1)。虛線表示通過至少一填料的磁通量。
    圖8(a)繪示使用四個填料的一配置。在此實施例中，第一對填料501及502位於第二核心之第二部分的一側邊，且第二對填料503及504位於第二核心之第二部分之相對側邊。每一對中的填料的間距可大體相同。作為另一選擇，填料501與503之間之間距可能不同於填料502與504之間之間距，及/或填料501與502之間之間距可能不同於填料503與504之間之間距。
    圖8(b)繪示包括一單一填料505的一配置，該單一填料505之長度實質上等於第二核心之第二部分之長度。填料505之寬度被繪示為A2，小於第二核心之第二部分之寬度A1。
    圖8(c)繪示一配置，其具有位於第二核心之第二部分的各自側邊的二填料506及507。該等填料可能具有大體相同的寬度及/或長度。然而，在不同的實施例中，寬度可能是不同的且/或間距可能較小，使得其中之一或二填料皆不在第二部分之側邊上。
    在此說明書中提及一「實施例」意指結合該實施例所描述的一特定特徵、結構，或特性被包括在本發明之至少一實施例中。在說明書中各處出現的此類片語並不一定均指同一實施例。而且，當結合任一實施例來描述一特定特徵、結構，或特性時，認為結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性是在熟於此技者的能力範圍內。任一實施例之特徵可與一或多個其他實施例之特徵組合，以形成新實施例。
    此外，為了易於理解，某些功能塊可能被描繪為個別區塊；然而，這些個別描繪的區塊並不一定被理解為是依本文所討論或以其他方式呈現之順序排列的。例如，某些區塊可能能以一替代排序執行、同時執行，等等。
    雖然本發明已經參照一些說明性實施例在本文中描述，但是應理解的是，熟於此技者可以設計出許多將落入此發明原理之精神及範圍內的其他修改及實施例。更具體而言，在不背離本發明之精神情況下，前述揭露、圖式及後附申請專利範圍之範圍內的主題組合配置之組件部分及/或配置的合理變化及修改是可能的。除了組件部分及/或配置的變化及修改之外，熟於此技者也將清楚替代的用途。
    10‧‧‧第一核心
    20‧‧‧第二核心
    21‧‧‧第一部分/核心部分
    22‧‧‧第二部分/第二核心部分
    23‧‧‧第三部分/核心部分
    30‧‧‧填料
    40、50‧‧‧繞組
    100‧‧‧電感器
    L1‧‧‧第一部分的電感
    L2‧‧‧第二部分的電感
    G1、G2、G3‧‧‧間隙
    权利要求:
    Claims (30)
    [1] 一種裝置，其包含：一第一核心；一第二核心，與該第一核心相鄰且具有：a)一第一部分，包括一第一繞組，b)一第二部分，與該第一核心間隔，c)一第三部分，包括一第二繞組，及一填料，具有一磁導率，其中該第二部分在該第二核心之該等第一與第三部分之間，且其中該填料位於該第一核心與該第二核心之該第二部分之間的一間隙中。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中：一第一電感器由該等第一繞組及第一部分形成，一第二電感器由該等第二繞組及第三部分形成，且該裝置之一操作狀態基於通過該填料的一磁通量之水平而改變。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該裝置操作於以下狀態：第一狀態，當通過該填料的一磁通量水平在一不飽和水平時，及第二狀態，當通過該填料的磁通量水平在一飽和水平時。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之裝置，其中該等第一及第二電感器在該第一狀態操作為一解耦合電感器，且在該第二狀態操作為一耦合電感器。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中通過該填料的該磁通量水平是基於輸入到該第一繞組或該第二繞組中至少一者中的電流量。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中：當該電流在一第一範圍中時，該等第一及第二電感器作用為解耦合電感器，且當該電流在一第二範圍中時，該等第一及第二電感器作用為一耦合電感器。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該第二範圍大於該第一範圍。
    [8] 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該耦合電感器的一電感低於作用為解耦合電感器的該等第一及第二電感器中每一者的一電感。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該填料之磁導率不同於該第一核心或該第二核心的一磁導率。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該填料之磁導率大體等於該第一核心或該第二核心的一磁導率。
    [11] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該填料及第二核心由不同的材料製成。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中由該第一繞組及該第二繞組產生的磁通量通過該第二核心之第二部分及該填料。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該填料接觸該第一核心或該第二核心之該第二部分中的一者。
    [14] 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該填料接觸該第一核心及該第二核心之該第二部分。
    [15] 一種裝置，其包含：一第一核心；一第二核心，與該第一核心相鄰，且具有：a)一第一部分，包括一第一繞組，b)一第二部分，與該第一核心間隔，c)一第三部分，包括一第二繞組，一第一填料，位於該等第一與第二核心之間，及一第二填料，位於該等第一與第二核心之間，其中該第二部分位於該第二核心之該等第一與第三部分之間，其中該第一填料與該第二填料間隔，且其中該等第一及第二填料位於該第一核心與該第二核心之該第二部分之間的一間隙中。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中該第一填料及該第二填料由可透磁材料製成。
    [17] 如申請專利範圍第16項所述之裝置，其中該第一填料及第二填料具有大體相等的磁導率。
    [18] 如申請專利範圍第16項所述之裝置，其中該第一填料及該第二填料具有不同的磁導率。
    [19] 如申請專利範圍第15項所述之裝置，其中：一第一電感器由該等第一繞組及第一部分形成，一第二電感器由該等第二繞組及第三部分形成，且該裝置的一操作狀態基於通過該等第一及第二填料的磁通量之水平而改變。
    [20] 如申請專利範圍第19項所述之裝置，其中該裝置操作於以下狀態：第一狀態，當該第一或第二填料中至少一者的磁通量水平在一不飽和水平時，及第二狀態，當該等第一及第二填料之磁通量水平在飽和水平時。
    [21] 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中當通過該等第一及第二填料的磁通量水平在不飽和水平時，該裝置操作於第一狀態。
    [22] 如申請專利範圍第20項所述之裝置，其中該等第一及第二電感器在該第一狀態作用為一解耦合電感器，且在該第二狀態作用為一耦合電感器。
    [23] 如申請專利範圍第22項所述之裝置，其中通過該等第一及第二填料的該等磁通量水平是基於輸入到該第一或第二繞組中的電流量。
    [24] 如申請專利範圍第23項所述之裝置，其中：當該電流在一第一範圍中時，該等第一及第二電感器作用為一解耦合電感器，且當該電流在一第二範圍中時，該等第一及第二電感器作用為一耦合電感器。
    [25] 一種裝置，其包含：一第一平台，操作於第一電壓；一第二平台，操作於第二電壓；及一具有一電感器的電壓調節器，用以提供該等第一及第二電壓，其中：該電感器包括一第一核心、一第二核心，該第二核心包含具有一第一繞組之一第一部分、具有一第二繞組的一第二部分，及在該等第一與第二部分之間的一第三部分；以及在該第一核心與該第三部分之間的一間隙中的至少一填料，該至少一填料是可透磁的，且當通過該至少一填料的磁通量在第一水平時，該電感器控制該第一電壓之輸出，且當通過該至少一填料的磁通量在第二水平時，控制該第二電壓之輸出。
    [26] 如申請專利範圍第25項所述之裝置，其中該第一水平對應於通過該至少一填料的磁通量之一不飽和水平，且其中該第二水平對應於通過該至少一填料的磁通量之一飽和水平。
    [27] 如申請專利範圍第26項所述之裝置，其中：該等第一繞組及第一部分形成一第一電感器部分，該等第二繞組及第二部分形成一第二電感器部分，且當通過該至少一填料的磁通量在該第一水平時，該等第一及第二電感器部分操作於一解耦合狀態，且當磁通量通過該至少一填料時，操作於一耦合狀態。
    [28] 如申請專利範圍第27項所述之裝置，其中：當通過該第一繞組或該第二繞組中至少一者的電流在第一範圍中時，通過該至少一填料的磁通量在該第一水平，及當通過該第一繞組或該第二繞組中至少一者的電流在第二範圍中時，通過該至少一填料的磁通量在該第二水平。
    [29] 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該第二範圍大於該第一範圍。
    [30] 如申請專利範圍第27項所述之裝置，其中由該等第一及第二繞組產生的磁通量通過該第二核心之該第三部分及該至少一填料。
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